據報三星擬使用台積電(TSM.US)3納米工藝 為英偉達(NVDA.US)生產下一代內存晶片
2026年10月20日 16:56
南韓《首爾經濟日報》引述消息報道，三星電子計劃使用台積電(TSM.US)的3納米工藝，為英偉達(NVDA.US)下一代定制高帶寬內存生產基底裸片。
據悉，英偉達已要求三星、SK海力士(SKHY.US)和美光(MU.US)在其定制NVHBM產品的基底裸片生產上，統一採用台積電3納米工藝。英偉達希望各供應商統一製造流程，保障產品性能一致。(jl/da)~
阿思達克財經新聞
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