三星電子與台積電(TSM.US)計劃分別於2028年及2030年起，採用ASML(ASML.US)的High-NA EUV光刻機，此前英特爾(INTC.US)亦已率先承諾採用這部售價高達4億美元的光刻機。

上述四間公司亦同意對光罩的技術規格進行重大升級，光罩是生產半導體的關鍵組件，最新計劃是從現行標準的6吋光罩轉至12吋，目標是提高生產力並降低成本。

台積電將從2030年起開始採用基於現有6吋光罩的高數值孔徑系統，並於2031年前建立一條生產12吋光罩的測試線，以推動該技術於2033年前配合High-NA EUV光刻機投入生產。而三星則計劃於2028年前開始將High-NA EUV光刻機用於記憶體生產。(mn/da)~

阿思達克財經新聞
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