《路透社》引述消息人報道，三星電子及SK海力士正升級其位於中國的工廠，以生產更先進的記憶體晶片，以應對中國競爭對手帶來的競爭，並滿足龐大的AI需求。

目前兩間公司在中國安裝光刻機等美國製造的設備，均須每年申請美國許可證。三星及SK海力士發聲明確認，升級工作正在進行中，現時正在與華盛頓密切協商下進行。

據悉，三星電子及SK海力士正推進其中國廠房生產逾200層NAND晶片，將中國廠房技術提升至南韓廠房的水平。現時三星位於西安的工廠佔公司全球NAND產量約40%，公司目標將目前生產約200層NAND晶片，升級為生產286層V9 NAND晶片，目標今年12月達到每月5,000塊晶圓的產量，然後於明年12月前大幅增至4萬塊。

三星表示，其升級符合美國出口法規，強調升級是旨在滿足包括美國客戶於內的全球客戶日益增長的需求，公司並未擴充生產能力或興建新的製造設施。

消息人士稱，SK海力士亦計劃將大連的設施轉為生產240層或以上的NAND產品，並可能向美國尋求批准於當地對300層以上的晶片進行研發。目前，長江存儲的產品線主要為160層及232層的NAND晶片，但亦生產少量294層的晶片，並計劃製造超過300層的產品。(mn/ad)~

阿思達克財經新聞
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